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        激光二極管發展介紹
        作者: 編輯: 來源: 發布日期: 2019.12.14
        信息摘要:
        上世紀60年代發明的一種光源,命名為激光,LASER是英文的“受激放射光放大”的首字母縮寫。1962年秋首次研制出77K下脈沖受激發射的同質…
        上世紀60年代發明的一種光源,命名為激光,LASER是英文的“受激放射光放大”的首字母縮寫。
        1962年秋首次研制出 77K下脈沖受激發射的同質結GaAs 激光二極管。
        1964 年將其工作溫度提高到室溫。
        1969年制造出室溫下脈沖工作的單異質結激光二極管,
        1970年制成室溫下連續工作的 Ga1-xAlxAs/GaAs雙異質結(DH)激光二極管。此后,激光二極管迅速發展。1975年 Ga1-xAlxAs/GaAsDH 激光二極管的壽命提高到105小時以上。In1-xGaxAs1-yPy/InP 長波長DH激光二極管也取得重大進展,因而推動了光纖通信和其他應用的發展。此外還出現了由Pb1-xSnxTe等 Ⅳ-Ⅵ族材料制成的遠紅外波長激光二極管。

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